专利详情

专利名称	单层有机存储器及其制造方法
申请号	CN200510016722.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1688038	公开（授权）日	2005.10.26
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	马东阁;陈江山;林剑;于顺洋
主分类号	H01L51/20	IPC主分类号	H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40;G11C11/21
专利有效期	单层有机存储器及其制造方法至单层有机存储器及其制造方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明属于一种有机存储器及其制造方法，涉及一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构，把有机薄膜NPB或染料掺杂的NPB夹在两个交叉的电极之间，其中一个电极为金属Ag电极。当在两个电极之间加电压，器件就会从一个状态开关到另一个状态，这样，通过改变电压，存储的信息就能够被读、写和擦掉，这个存储过程与所选有机材料和 Ag电极密切相关。这种单层有机存储器具有制造工艺简单，成本低，体积小，存储容量大，功耗低，读写快，稳定性好的特点。