专利详情

专利名称	一种相变存储器快速读取装置及方法
申请号	CN200910195367.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102013271A	公开（授权）日	2011.04.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁晟;宋志棠;陈后鹏;刘波
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器快速读取装置及方法至一种相变存储器快速读取装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种相变存储器快速读取装置，其包括待读相变存储单元、充电电路、过冲恢复率检测电路、灵敏放大器电路以及参考电平或参考存储单元。一方面，相变存储单元(在电路上可抽象为电阻)与位线的寄生电容构成RC回路；另一方面，选通MOS管在开关瞬间由饱和区进入线性区，从而会造成过冲现象。不同状态的相变电阻，其过冲之后的恢复速率是不一样的。本方法通过读取过冲以后位线电平的恢复速率，快速的读取相变存储单元的状态，从而加快存储器整体读取速率。另外，快速的读取有助于避免读取操作对相变单元的破坏，达到降低读干扰的目的。