专利详情

专利名称	一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法
申请号	CN200910196619.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102031416A	公开（授权）日	2011.04.27
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司	发明（设计）人	陈立东;熊震;陈喜红;黄向阳;张文清;何琳
主分类号	C22C12/00(2006.01)I	IPC主分类号	C22C12/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I
专利有效期	一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法至一种填充方钴矿基复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种复合材料，所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体；IyCo4Sb12?(I)，其中，I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种，0.05≤y＜1，所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒，其中所述复合材料中含有0.05-5mol％的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言，材料的Seebeck系数大幅度提高，总热导率略有下降，热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高，材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。