专利详情

专利名称	坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
申请号	CN200410089075.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1680635	公开（授权）日	2005.10.12
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤
主分类号	C30B15/00	IPC主分类号	C30B15/00;C30B29/30
专利有效期	坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法至坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构 3。提拉旋转系统包括提拉旋转机构2、籽晶杆11。加热控温机构4与加热元件7相连构成加热控温系统，用以控制坩埚的温度。称量装置1与提拉旋转机构2和坩埚升降机构3相连接，根据提拉所得的晶体重量控制生长坩埚或补给坩埚的升降，将原料补给坩埚中的熔体补入生长坩埚。采用本发明的生长装置和方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。