专利详情

专利名称	多层堆叠的存储器及其制造方法
申请号	CN201010512040.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102034804A	公开（授权）日	2011.04.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林
主分类号	H01L25/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01L25/065(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	多层堆叠的存储器及其制造方法至多层堆叠的存储器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。