专利详情

专利名称	常压燃烧合成氮化硅粉体的方法
申请号	CN200410039170.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1657404	公开（授权）日	2005.08.24
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	李江涛;杨筠;林志明
主分类号	C01B21/068	IPC主分类号	C01B21/068;C04B35/584;C04B35/622
专利有效期	常压燃烧合成氮化硅粉体的方法至常压燃烧合成氮化硅粉体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于非氧化物超细氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域，涉及常压燃烧合成氮化硅粉体的方法，特别涉及常压连续化燃烧合成氮化硅粉末的方法。本发明是由Si粉和催化剂按重量份比为Si∶催化剂＝94～40∶3～30的比例混合，然后加入氮化硅进行粉体活化处理，随后于常温常压条件下诱发燃烧合成反应。本发明的特点是不需要高压反应装置，只需将粉末松装于耐高温的多孔反应器中，反应即可在微正压的氮气氛或流动氮气或空气中进行。粉体活化处理有利于调整反应温度，合成产物中主要物质是 Si₃N_{4，主晶相为占总重量85～95％的α－ Si₃N_{4粉。本发明具有生产周期短、节约能源、设备投资少。}}