专利详情

专利名称	高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
申请号	CN200410093370.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1648190	公开（授权）日	2005.08.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张楷亮;宋志棠;封松林
主分类号	C09K3/14	IPC主分类号	C09K3/14
专利有效期	高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液至高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr_1－ xTiO₃，BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，抛光速率达200～300nm/min；抛光后表面全局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器(DRAM) 及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。