一种玻璃微流控芯片的低温键合方法
- 申请号:CN200510023894.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN1648662
- 公开(公开)日:2005.08.03
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 | ||
申请号 | CN200510023894.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1648662 | 公开(授权)日 | 2005.08.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 金庆辉;庄贵生;刘菁;贾春平;赵建龙 |
主分类号 | G01N33/48 | IPC主分类号 | G01N33/48;G01N35/00 |
专利有效期 | 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 至一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方 法,其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打 孔加工后基片进行表面清洗;(2)基片预键合,清洗后的基片和 盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键 合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中, 干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真 空2 h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度, 在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空 干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa 保持6h后关闭电源,自然冷却至室温。键合过程在非净化条 件下完成,基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高 温键合与退火。 |
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