专利详情

专利名称	合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法
申请号	CN200410011299.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1645559	公开（授权）日	2005.07.27
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	潘道成;王强;姬相玲;蒋世春;安立佳
主分类号	H01L21/00	IPC主分类号	H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18;H05B33/12;H01S5/00;B82B3/00;C01B21/00;C01B17/00;C01G11/00;C09K11/08
专利有效期	合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法至合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供一种硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结构量子点半导体发光材料的合成方法，采用氧化镉、碳酸镉、烷基羧酸、油酸、硒脲、硫脲为原料，在油酸或三正辛基氧化膦或十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺的包覆下，烷基羧酸镉或油酸镉的甲苯溶液与硒脲或硫脲的水溶液在界面反应形成半导体纳米微粒，且稳定地存在于甲苯中，所制备的半导体纳米颗粒在紫外灯能实现波长可调的可见光。