一种制作半导体薄膜的方法
- 申请号：CN201010247730.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102376889A
- 公开(公开)日：2012.03.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制作半导体薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201010247730.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102376889A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青;霍宗亮 |
| 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/00(2006.01)I;G01N5/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制作半导体薄膜的方法 至一种制作半导体薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作半导体薄膜的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂碳纳米管与酞菁锌的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。因为通过将酞菁锌作为敏感材料去尝试制作敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且掺杂的碳纳米管/酞菁锌传感器与纯的酞菁锌传感器相比，灵敏度和检测质量也会有一定的提高。 | ||
交易流程
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