专利详情

专利名称	一种制作复合半导体薄膜材料的方法
申请号	CN201010247619.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102373470A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李冬梅;侯成诚;刘明;周文;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮
主分类号	C23C28/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23C28/00(2006.01)I;G01N30/00(2006.01)I;G01N27/407(2006.01)I
专利有效期	一种制作复合半导体薄膜材料的方法至一种制作复合半导体薄膜材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H2S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H2S气体的灵敏度与选择性。