专利详情

专利名称	在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
申请号	CN201010211441.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101908472A	公开（授权）日	2010.12.08
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王湘;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法至在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。