专利详情

专利名称	硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
申请号	CN200410011201.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1631793	公开（授权）日	2005.06.29
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	王强;潘道成;聂伟;蒋世春;姬相玲;安立佳
主分类号	C01G11/00	IPC主分类号	C01G11/00;C01B19/04
专利有效期	硒化镉和碲化镉量子点的合成方法至硒化镉和碲化镉量子点的合成方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于溶剂热法合成硒化镉和碲化镉量子点的方法，该方法是以含2～18个碳原子的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源，硒粉和碲粉分别为硒源和碲源，镉源和硒源或碲源的摩尔比为5∶1－1∶5，并使用三辛基膦溶解硒粉和碲粉，油酸、十六烷基胺或三辛基氧化膦为包裹剂，镉源和包裹剂的摩尔比为1∶2－1∶6，苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷为溶剂，镉源的浓度为0.001－0.015M，在高压釜内140－180℃的条件下加热0.8－16小时来完成反应的，并且通过改变反应时间获得不同尺寸的硒化镉和碲化镉量子点。合成的硒化镉和碲化镉量子点具有较窄的尺寸分布，表现为较窄的荧光发射，硒化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22－33nm，碲化镉量子点荧光发射峰半峰宽为29－35nm。