专利详情

专利名称	热电堆红外传感器及其制作方法
申请号	CN201010267981.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102384790A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	欧文
主分类号	G01J5/14(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/14(2006.01)I
专利有效期	热电堆红外传感器及其制作方法至热电堆红外传感器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种热电堆红外传感器及其制作方法，所述热电堆红外传感器包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；吸收层，位于所述衬底上方；反射层，位于所述沟槽外的衬底表面，与所述吸收层之间具有空腔；热电偶对组成的悬臂梁，位于所述沟槽的上方，所述热电偶对的冷端与衬底连接，热端通过支撑柱与其上方的吸收层连接。所述沟槽内表面具有释放阻挡层。由于采用共振吸收方式来提高红外吸收效率，反射层、吸收层及其介质层为常规IC工艺中所用的材料和工艺制作，因此，可以很容易的与现有IC工艺兼容，降低制作成本，有利于大范围的推广应用。