专利详情

专利名称	混合沟道半导体器件及其形成方法
申请号	CN201010273120.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102386133A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I
专利有效期	混合沟道半导体器件及其形成方法至混合沟道半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种混合沟道半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一半导体层，包括NMOS区域和PMOS区域，其表面覆盖有第二半导体层，它们中的一个对电子的传导率高于对空穴的传导率，另一个对空穴的传导率高于对电子的传导率；在NMOS区域和PMOS区域分别形成第一伪栅结构及其两侧的第一源区和第一漏区，以及第二伪栅结构及其两侧的第二源区和第二漏区；在第二半导体层上形成层间介质层并平坦化；去除第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一开口和第二开口；在第一开口内的第一半导体层和第二半导体层中对电子的传导率较高的一个上形成第一栅极结构，在第二开口内的另一半导体层上形成第二栅极结构。本发明减少了沟道区中的缺陷。