专利详情

专利名称	一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法
申请号	CN201010247579.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102374915A	公开（授权）日	2012.03.14
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	毋正伟;陈德勇;王军波
主分类号	G01L9/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01L9/00(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I
专利有效期	一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法至一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电磁驱动谐振式微结构压力传感器封装方法，涉及MEMS封装技术，为单芯片级封装方法，包括步骤，a)将陶瓷环焊接在管座上；b)将一对大小相同、充磁方向相反的磁铁平行固定在管座上表面，位于陶瓷环的内部，并以陶瓷环中心对称，磁铁充磁方向垂直于管座上表面，两磁铁之间正上方形成水平磁场；c)粘片，将加工好的传感器芯片气密性键合在陶瓷环的正上方，谐振梁长度方向与磁铁平行放置方向相同；d)焊引线，利用引线键合技术将芯片上的电极与管座管针连接；e)真空封装，将管帽和管座真空焊接在一起。本发明方法，具有封装结构简单，封装复杂度小，封装尺寸小，成本低，稳定性好，便于批量生产等优点。