专利详情

专利名称	采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法
申请号	CN201010023095.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102134052A	公开（授权）日	2011.07.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;吴燕红;丁萃;吴紫阳;戴斌;李昕欣;王跃林
主分类号	B81B7/02(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I
专利有效期	采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法至采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容结构。在衬底栅极上施加电压使纳米梁下表面形成强反型层，利用反型层与空间电荷区上方的硅作为力敏电阻实现纳米梁振动的压阻检测。通过复合掩模结合各向异性湿法腐蚀可以实现梁上轻掺杂区与衬底栅极的自对准。