专利详情

专利名称	采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法
申请号	CN201010608061.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102130039A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王中党;叶斐;曹共柏;林成鲁;张苗;王曦
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I
专利有效期	采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法至采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。