专利详情

专利名称	Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
申请号	CN201110038941.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102127817A	公开（授权）日	2011.07.20
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	师文生;刘海龙;佘广为
主分类号	C30B33/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B33/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I
专利有效期	Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法至Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域，特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡，取出后晾干；再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，并放入管式炉的中心加热；在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率，在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。