专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010551454.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468226A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	专利申请或者专利权的恢复
说明书摘要	一种半导体结构，包括，第一层间结构，所述第一层间结构包括第一介质层和第一接触塞，所述第一介质层与所述栅极堆叠平齐或覆盖所述栅极堆叠，所述第一接触塞贯穿所述第一介质层且电连接于至少部分所述源/漏区；第二层间结构，所述第二层间结构包括盖层和第二接触塞，所述盖层覆盖所述第一层间结构，所述第二接触塞贯穿所述盖层并经第一衬层电连接于所述第一接触塞和所述栅极堆叠；第三层间结构，所述第三层间结构包括第二介质层和第三接触塞，所述第二介质层覆盖所述第二层间结构，所述第三接触塞贯穿所述第二介质层中并经第二衬层电连接于所述第二接触塞。还提供了一种半导体结构的制造方法，利于节约面积以提高半导体结构的集成度。