专利详情

专利名称	一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件
申请号	CN201010540071.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468210A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑;钟汇才
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I
专利有效期	一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件至一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件的隔离结构及其制造方法、以及具有该结构的半导体器件，涉及半导体制造领域。该隔离结构包括：沟槽，嵌入于半导体衬底中；氧化层，覆盖所述沟槽的底壁和侧壁；以及隔离材料，位于所述氧化层上的沟槽中；其中，位于所述沟槽侧壁的上部的氧化层中包括富镧氧化物。通过采用本发明的沟槽隔离结构，使得富镧氧化物中的金属镧会扩散到栅堆叠的氧化物层的拐角处，因此能够降低由于窄沟道效应带来的影响，同时可以对阈值电压进行调节。