专利详情

专利名称	半导体存储单元、器件及其制备方法
申请号	CN201010541159.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468303A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I
专利有效期	半导体存储单元、器件及其制备方法至半导体存储单元、器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。由于埋层的禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度要窄，从而在埋层形成空穴势垒，存储在埋层中的空穴将面临势垒很难泄露出去。通过上述方法，可以提高采用浮体效应的存储单元的信息保持时间。