一种金属互连结构及其形成方法
- 申请号：CN201010539400.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102468220A
- 公开(公开)日：2012.05.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种金属互连结构及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010539400.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102468220A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种金属互连结构及其形成方法 至一种金属互连结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种金属互连结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中形成有接触区；层间介质层，所述层间介质层形成于所述半导体基底上；导电层，所述导电层贯穿所述层间介质层且电连接于所述接触区，所述导电层包括n层金属层和m层石墨烯层或碳纳米管层，所述金属层和所述石墨烯层或碳纳米管层间隔排列，n、m≥1且n+m≥3。以及，一种金属互连结构的形成方法。利于得到优质的互连结构。 | ||
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