专利详情

专利名称	一种大高宽比衍射光学元件的制作方法
申请号	CN201010544430.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102466967A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	谢常青;李海亮;史丽娜;朱效立;刘明
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I
专利有效期	一种大高宽比衍射光学元件的制作方法至一种大高宽比衍射光学元件的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模，利用X射线进行两次曝光的方法，制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。