专利详情

专利名称	高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
申请号	CN201010541134.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468131A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;李永亮
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法至高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法，主要步骤如下：1)在器件隔离形成后，在硅衬底上依次形成界面SiO2/高K栅介质/金属栅/多晶硅/硬掩膜叠层栅结构；2)光刻形成胶图形；3)刻蚀叠层栅结构；4)将步骤3的产品浸没于腐蚀溶液中去除聚合物，腐蚀溶液配比为氢氟酸0.2～1％，盐酸5～15％，其余为水。本发明采用氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)混合的水溶液化学湿法腐蚀，在室温下就能去净叠栅两侧及硅衬底表面残留的聚合物，不仅保持陡直的叠栅刻蚀剖面，并对硅衬底不造成损伤，与CMOS工艺兼容性好，成本低。