专利详情

专利名称	接触电极制造方法和半导体器件
申请号	CN201010531985.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468326A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/417(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	接触电极制造方法和半导体器件至接触电极制造方法和半导体器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底；栅极部分，形成在所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于所述栅极部分的相对侧；接触电极，与所述源极部分和/或所述漏极部分相接触，其中所述接触电极在与所述源极部分和/或所述漏极部分接触的一端具有增大的端部。在本发明中，由于在与源极部分/漏极部分接触的界面，增大了接触电极的接触面积，实现了接触电阻的降低，从而确保/增强了半导体器件的性能。本发明还提出了用于制造前述半导体器件(尤其是其中的接触电极)的方法。