一种提高电子束曝光效率的方法
- 申请号：CN201010541030.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102466966A
- 公开(公开)日：2012.05.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种提高电子束曝光效率的方法 | ||
| 申请号 | CN201010541030.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102466966A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博 |
| 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种提高电子束曝光效率的方法 至一种提高电子束曝光效率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种提高电子束曝光效率的方法：1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶，进行前烘；2)图形数据分割，对大尺寸图形部分进行光学曝光，进行后烘；3)正性光刻胶显形；4)等离子体氟化；5)烘烤加固；6)涂电子束负胶，进行前烘；7)对精细图形部分进行电子束曝光；8)后烘；9)电子束负胶显形，完成光刻图形制备。本发明的方法可以节省至少30％～60％的曝光时间，大大提高了曝光效率，大幅度降低了成本，而且完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备。 | ||
交易流程
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