专利详情

专利名称	采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法
申请号	CN201010542475.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468221A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	闫江
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法至采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔中填充有与第二类型MOS的金属栅所用相同的材料；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准。该方法降低了接触孔刻蚀及金属淀积的难度，简化了工艺步骤，并且使器件的可靠性提高。