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碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片

  • 申请号:CN200410067487.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
  • 公开(公开)号:CN1617357
  • 公开(公开)日:2005.05.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片
申请号 CN200410067487.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1617357 公开(授权)日 2005.05.18
申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 叶振华;胡晓宁;丁瑞军;何力
主分类号 H01L31/101 IPC主分类号 H01L31/101;H01L31/0296;H01L27/146
专利有效期 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 至碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测 器列阵芯片,该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合 结构,避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯 片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。 这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。

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