碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片
- 申请号:CN200410067487.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN1617357
- 公开(公开)日:2005.05.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 | ||
申请号 | CN200410067487.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1617357 | 公开(授权)日 | 2005.05.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 叶振华;胡晓宁;丁瑞军;何力 |
主分类号 | H01L31/101 | IPC主分类号 | H01L31/101;H01L31/0296;H01L27/146 |
专利有效期 | 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 至碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测 器列阵芯片,该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合 结构,避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯 片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。 这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。 |
交易流程
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专利 -
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