专利详情

专利名称	一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
申请号	CN200410067219.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1610127	公开（授权）日	2005.04.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明
主分类号	H01L29/78	IPC主分类号	H01L29/78;H01L21/336
专利有效期	一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法至一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。