专利详情

专利名称	具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器
申请号	CN200410081170.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1601610	公开（授权）日	2005.03.30
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曾中明;韩秀峰;张谢群;瑞哈娜;赵静;姜丽仙;詹文山
主分类号	G11B5/33	IPC主分类号	G11B5/33;G11B5/39
专利有效期	具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器至具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器，包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1)之上的中间层(L2)，该层由铁磁性材料或半金属磁性材料或非磁性金属材料或半导体材料制成；一个形成于中间层(L2)之上的第二隧道绝缘层(I2)；和一个形成于第二隧道绝缘层(I2)之上的上部层(L3)，该层由铁磁性层或半金属磁性层构成。采用这种结构，由于电子在隧穿两个部隧道绝缘层过程中发生共振隧穿效应而具有较高的TMR值，因而用这种隧道结制作的磁传感器有更高的分辨率。