专利详情

专利名称	一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法
申请号	CN200410053752.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1599068	公开（授权）日	2005.03.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林;陈邦明
主分类号	H01L27/02	IPC主分类号	H01L27/02;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00
专利有效期	一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法至一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在 2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。