专利详情

专利名称	半导体激光正弦相位调制干涉仪调制深度的测量方法
申请号	CN201110105543.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102288387A	公开（授权）日	2011.12.21
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	王渤帆;李中梁;王向朝
主分类号	G01M11/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01M11/02(2006.01)I
专利有效期	半导体激光正弦相位调制干涉仪调制深度的测量方法至半导体激光正弦相位调制干涉仪调制深度的测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体激光正弦相位调制干涉仪调制深度的测量方法，所述的干涉仪结构包括光源、隔离器、光纤耦合器、准直器、光电探测器和信号处理器。光电探测器将接收到的干涉信号转换成电信号与光源驱动电源的电压信号一起输入信号处理器内进行数据处理，得到正弦相位调制深度。本发明的测量方法，考虑了光源光强调制的影响，可在干涉仪初始光程差和光源波长调制系数未知的条件下，实时地确定正弦相位调制深度。