专利详情

专利名称	一种平板电极固定结构
申请号	CN201110287921.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102290312A	公开（授权）日	2011.12.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋
主分类号	H01J37/32(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/32(2006.01)I
专利有效期	一种平板电极固定结构至一种平板电极固定结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种平板电极固定结构，属于等离子体刻蚀技术领域。所述平板电极固定结构包括绝缘支撑，绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕进气孔均匀分布。绝缘支撑的厚度为5～1000mm。绝缘支撑由绝缘材料制成，绝缘材料为陶瓷、石英、聚四氟或聚碳酸酯。上电极和下电极之间施加的射频电源频率为0～10GHz。上电极和下电极之间的距离为2～1000mm。上电极和下电极的面积直径为20～3000mm。本发明的平板电极固定结构可以使等离子体启辉的均匀性分布范围更宽，尤其是边缘的均匀性效果更好；在等离子体启辉条件下，本发明的平板电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。