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一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用

  • 申请号:CN200910247729.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN101766816A
  • 公开(公开)日:2010.07.07
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用
申请号 CN200910247729.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101766816A 公开(授权)日 2010.07.07
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 祝迎春;李芳;阮启超
主分类号 A61K47/24(2006.01)I IPC主分类号 A61K47/24(2006.01)I
专利有效期 一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用 至一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种偶极分子修饰的介孔硅材料及其制备和应用,该偶极分子修饰的介孔硅材料由具有硅烷端基接枝的偶极分子与具有孔道结构的介孔硅通过硅氧键偶联制成。以本发明的偶极分子修饰的介孔硅材料为载体制备的药物控制释放体系可通过调节外加电场实现体系内客体分子的连续性控制释放;介电性能测试表明,本发明的药物控制释放体系具有良好的电场响应性;本发明的药物控制释放体系释药后,经过简单清洗处理便可重复利用。

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