专利详情

专利名称	一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法
申请号	CN201110187549.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102290473A	公开（授权）日	2011.12.21
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	窦亚楠;何悦;王涛;江作;王建禄;褚君浩
主分类号	H01L31/052(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法至一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的去除。本发明电池具有表面钝化效果好，背表面增强对红外光的内反射，前表面双层抗反射涂层减少表面反射，抗UV辐射性能好，光电转换效率高等优点。