专利详情

专利名称	采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
申请号	CN200810240085.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752508A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法至采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，对有源层的图形化工艺简单，没有增加光刻步骤，主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外，本方法也与成熟的光刻工艺兼容，降低了成本，有利于工业生产。