专利详情

专利名称	一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法
申请号	CN200810240084.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752507A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法至一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。