制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法
- 申请号：CN201110124857.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号：CN102220615A
- 公开(公开)日：2011.10.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 | ||
| 申请号 | CN201110124857.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102220615A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;齐小鹏;佘广为 |
| 主分类号 | C25D9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D9/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 至制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明属于半导体纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种应用电化学技术制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法。本发明以载有ZnO纳米管阵列的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极；以含有S粉和CdCl2的二甲基亚砜溶液作为电解液，通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在ZnO纳米管上电化学沉积出CdS薄膜，从而制得CdS/ZnO纳米管阵列光电极。该CdS/ZnO纳米管阵列光电极在光电化学分解水制氢领域表现出优异的性能。 | ||
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