专利详情

专利名称	在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法
申请号	CN200910236527.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102041505A	公开（授权）日	2011.05.04
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	黄小铭;孟庆波;罗艳红;李冬梅
主分类号	C23C26/00(2006.01)I	IPC主分类号	C23C26/00(2006.01)I;B32B7/12(2006.01)I;B32B37/26(2006.01)I
专利有效期	在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法至在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括：在高温下在耐高温衬底上制备FTO薄膜；通过透明粘结剂将所述FTO薄膜与低温衬底粘结在一起，得到包含有耐高温衬底、FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片；将所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后，取出由FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底，且不会与所述的FTO薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。本发明彻底解决了在低温衬底上不能制备FTO透明导电薄膜的难题。