专利详情

专利名称	一种巨磁阻阵列电流传感器
申请号	CN201010560952.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102043083A	公开（授权）日	2011.05.04
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	辛守乔;肖立业;张国民;戴少涛;邱清泉;刘怡;许熙
主分类号	G01R19/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R19/00(2006.01)I;G01R15/00(2006.01)I
专利有效期	一种巨磁阻阵列电流传感器至一种巨磁阻阵列电流传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种巨磁阻阵列智能电流传感器，由巨磁阻芯片子板阵列(1)、环形PCB母板(2)、8通道放大器电路(3)、8通道采样保持及A/D转换电路(4)、FPGA信号处理电路(5)构成；巨磁阻芯片子板阵列(1)由巨磁阻芯片AA005-02和两个条形的铝镍钴永磁体构成，所述的永磁体置于巨磁阻芯片AA005-02的两端，永磁体的充磁方向与巨磁阻芯片AA005-02的磁敏感方向一致；8个巨磁阻芯片子板阵列安装在环形PCB母板(2)上，所述的巨磁阻芯片输出的电压信号输入到8通道电压放大器电路(3)中，经放大后，进入8通道采样保持及A/D转换电路(4)，将模拟的电压信号转变成数字信号，再经过FPGA处理电路(5)对8路数字信号进行处理。