一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法
- 申请号：CN200910235466.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102044442A
- 公开(公开)日：2011.05.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 | ||
| 申请号 | CN200910235466.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102044442A | 公开（授权）日 | 2011.05.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 至一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法，该方法是在MOS器件加工工艺中，在同一工艺环境中连续制备绝缘界面层和高介电常数栅介质层。利用本发明，不仅可以减少高k栅介质和界面层间由于环境污染引起的缺陷和电荷，而且还可以提高高k栅介质的质量。 | ||
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