一种石墨炔纳米薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201110075103.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号：CN102225757A
- 公开(公开)日：2011.10.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种石墨炔纳米薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110075103.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102225757A | 公开（授权）日 | 2011.10.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 李玉良;刘辉彪;李勇军;钱学旻 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种石墨炔纳米薄膜及其制备方法 至一种石墨炔纳米薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种石墨炔纳米薄膜及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：将盛放有石墨炔粉末的容器和表面生长有氧化锌纳米棒阵列的基底置于管式反应器中，所述容器和基底之间设有间距，将所述管式反应器加热至570℃-630℃，并向所述管式反应器中通入氩气进行反应即得所述石墨炔纳米薄膜。利用溶液法制备的石墨炔薄膜的导电率为2.516×10-4S/m，而利用本发明的方法制备的石墨炔纳米薄膜的导电率可以提升为3.629×102S/m，电导率有6个量级的提升。 | ||
交易流程
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