专利详情

专利名称	一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件
申请号	CN200910200721.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101777564A	公开（授权）日	2010.07.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件至一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI?CMOS器件，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与NMOS区和PMOS区位于同一平面上，垂直栅区位于NMOS区和PMOS区之间；垂直栅区与NMOS区之间隔离有栅氧化层；垂直栅区与PMOS区之间隔离有栅氧化层。本发明占用面积小，版图层数少，工艺简单，敞开的体区能够完全避免传统SOI?CMOS器件的浮体效应，并方便对寄生电阻、电容的测试。