利用金属锂涂层作为改善全超导托卡马克第一壁燃料再循环的方法
- 申请号:CN201210111534.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
- 公开(公开)号:CN102653856A
- 公开(公开)日:2012.09.05
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 利用金属锂涂层作为改善全超导托卡马克第一壁燃料再循环的方法 | ||
申请号 | CN201210111534.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102653856A | 公开(授权)日 | 2012.09.05 |
申请(专利权)人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明(设计)人 | 左桂忠;胡建生;李建刚;孙震 |
主分类号 | C23C14/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/32(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I;G21B1/13(2006.01)I;G21B1/25(2006.01)I |
专利有效期 | 利用金属锂涂层作为改善全超导托卡马克第一壁燃料再循环的方法 至利用金属锂涂层作为改善全超导托卡马克第一壁燃料再循环的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种利用金属锂涂层作为改善全超导托卡马克第一壁燃料再循环的方法,包括有锂化坩埚系统、波纹管传送系统,锂化坩埚系统包括有锂化坩埚、加热系统、测温系统,加热系统的加热装置为加热丝,通过射频放电辅助沉积或化学气象沉积的方法对磁约束装置真空室内第一壁表面涂覆10-20纳米金属锂涂层,以实现对第一壁材料的改性,满足聚变等离子体对第一壁低杂质污染、低再循环的苛刻要求。本发明通过对第一壁表面实施锂涂层,可以快速、经济、有效的实现对等离子体性能的改善,以便满足不同等离子体物理试验的需求。 |
交易流程
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专利 -
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