专利详情

专利名称	波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法
申请号	CN201210153737.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102654458A	公开（授权）日	2012.09.05
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	潘革波;李岩;肖燕
主分类号	G01N21/55(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/55(2006.01)I
专利有效期	波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法至波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：制备带有图案的凸膜及金属墨水；使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上，使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽；将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作，且该方法工艺简单，能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片，有能力解决传感器芯片的制备需求，很好地满足目前的实际需要。