专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110053301.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102655094A	公开（授权）日	2012.09.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。