专利详情

专利名称	具有空气桥结构发光二极管的制作方法
申请号	CN201210180422.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102683522A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	具有空气桥结构发光二极管的制作方法至具有空气桥结构发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。