专利详情

专利名称	制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
申请号	CN201210150154.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102684070A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	罗帅;季海铭;杨涛
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法至制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。