专利详情

专利名称	穿硅通孔结构及其形成方法
申请号	CN201110059582.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102683308A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵超;陈大鹏;欧文
主分类号	H01L23/48(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/48(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	穿硅通孔结构及其形成方法至穿硅通孔结构及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中填充导电材料，形成第一连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽底部暴露出所述第一连接钉；在所述凹槽中填充可刻蚀的导电材料，并对所述可刻蚀的导电材料进行刻蚀，形成第二连接钉，所述第二连接钉与所述第一连接钉上下相接；在所述第二连接钉与所述半导体衬底之间的空隙以及相邻的第二连接钉之间的空隙中填充介质层。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，避免空洞缺陷。